2SK3666-2-TB-E 데이터 시트
사양 2SK3666-2-TB-E
부품 번호 :
2SK3666-2-TB-E
제조사 :
ON Semiconductor
기술 :
JFET NCH 30V 200MW 3CP
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
전압 - 고장 (V (BR) GSS) :
-
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0) :
600µA @ 10V
전류 드레인 (Id) - 최대 :
10mA
전압 - 컷오프 (VGS off) @ ID :
180mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
4pF @ 10V
저항 - RDS (켜짐) :
200 Ohms
전력 - 최대 :
200mW
작동 온도 :
150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 업체 장치 패키지 :
3-CP
무게 :
-
조건 :
새롭고 독창적
품질 보증 :
365 일 보증
재고 자원 :
프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
ABC-2SK3666-2-TB-E
제조사
간단한 설명
JFET NCH 30V 200MW 3CP
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
7565579 조각
참조 가격
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