APTM50H10FT3G 데이터 시트
사양 APTM50H10FT3G
부품 번호 :
APTM50H10FT3G
제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
4 N-Channel (H-Bridge)
FET 특징 :
Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
500V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
37A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
96nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
4367pF @ 25V
전력 - 최대 :
312W
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Chassis Mount
패키지 / 케이스 :
SP3
공급 업체 장치 패키지 :
SP3
무게 :
-
조건 :
새롭고 독창적
품질 보증 :
365 일 보증
재고 자원 :
프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
ABC-APTM50H10FT3G
간단한 설명
MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
45248 조각
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