APTSM120AM25CT3AG 데이터 시트
사양 APTSM120AM25CT3AG
부품 번호 :
APTSM120AM25CT3AG
제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
POWER MODULE - SIC
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual), Schottky
FET 특징 :
Silicon Carbide (SiC)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
1200V (1.2kV)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
148A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 80A, 20V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3V @ 4mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
544nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
10200pF @ 1000V
전력 - 최대 :
937W
작동 온도 :
-40°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 :
Chassis Mount
패키지 / 케이스 :
SP3
공급 업체 장치 패키지 :
SP3
무게 :
-
조건 :
새롭고 독창적
품질 보증 :
365 일 보증
재고 자원 :
프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
POWER MODULE - SIC
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
59267 조각
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