JAN1N5809URS 데이터 시트
사양 JAN1N5809URS
부품 번호 :
JAN1N5809URS
제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
시리즈 :
Military, MIL-PRF-19500/477
부품 상태 :
Active
다이오드 유형 :
Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
100V
전류 - 평균 정류 (Io) :
3A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
875mV @ 4A
속도 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) :
30ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
5µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F :
60pF @ 10V, 1MHz
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
SQ-MELF, B
공급 업체 장치 패키지 :
B, SQ-MELF
작동 온도 - 정션 :
-65°C ~ 175°C
무게 :
-
조건 :
새롭고 독창적
품질 보증 :
365 일 보증
재고 자원 :
프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
ABC-JAN1N5809URS
간단한 설명
DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
62439 조각
참조 가격
우리의 가격
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- Bank Transfer (Wire Transfer)
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IC CPLD 512MC 9NS 324BGA |