RGT8NS65DGTL 데이터 시트
사양 RGT8NS65DGTL
부품 번호 :
RGT8NS65DGTL
제조사 :
Rohm Semiconductor
기술 :
IGBT 650V 8A 65W TO-263S
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
IGBT 유형 :
Trench Field Stop
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
650V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
8A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) :
12A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 4A
전력 - 최대 :
65W
스위칭 에너지 :
-
입력 유형 :
Standard
게이트 차지 :
13.5nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C :
17ns/69ns
시험 조건 :
400V, 4A, 50 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) :
40ns
작동 온도 :
-40°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급 업체 장치 패키지 :
LPDS (TO-263S)
무게 :
-
조건 :
새롭고 독창적
품질 보증 :
365 일 보증
재고 자원 :
프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
ABC-RGT8NS65DGTL
간단한 설명
IGBT 650V 8A 65W TO-263S
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
1167551 조각
참조 가격
우리의 가격
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