SI4967DY-T1-E3 데이터 시트
사양 SI4967DY-T1-E3
부품 번호 :
SI4967DY-T1-E3
제조사 :
Vishay Siliconix
기술 :
MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
시리즈 :
TrenchFET®
부품 상태 :
Obsolete
FET 유형 :
2 P-Channel (Dual)
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
12V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
-
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
450mV @ 250µA (Min)
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
55nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
-
전력 - 최대 :
2W
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급 업체 장치 패키지 :
8-SO
무게 :
-
조건 :
새롭고 독창적
품질 보증 :
365 일 보증
재고 자원 :
프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
ABC-SI4967DY-T1-E3
제조사
간단한 설명
MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
51649 조각
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IC CPLD 980MC 6.2NS 256FBGA |
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|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 9.2NS 324BGA |