SI7900AEDN-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
제조사
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
1174040 Pieces
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사양 SI7900AEDN-T1-GE3
품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : SI7900AEDN-T1-GE3
제조사 : Vishay Siliconix
기술 : MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
시리즈 : TrenchFET®
부품 상태 : Active
FET 유형 : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 특징 : Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID : 900mV @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 16nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : -
전력 - 최대 : 1.5W
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : PowerPAK® 1212-8 Dual
공급 업체 장치 패키지 : PowerPAK® 1212-8 Dual
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
에 대한 문서 SI7900AEDN-T1-GE3
데이터 시트 : SI7900AEDN-T1-GE3.pdf
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