SCTH90N65G2V-7 - SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
ABC-SCTH90N65G2V-7
간단한 설명
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
63456 Pieces
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사양 SCTH90N65G2V-7
품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : SCTH90N65G2V-7
제조사 : STMicroelectronics
기술 : SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : SiCFET (Silicon Carbide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 650V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 18V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 50A, 18V
Vgs (th) (최대) @ ID : 5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 157nC @ 18V
Vgs (최대) : +22V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 3300pF @ 400V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 330W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : H2PAK-7
패키지 / 케이스 : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
에 대한 문서 SCTH90N65G2V-7
데이터 시트 : SCTH90N65G2V-7.pdf
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