FGD3N60LSDTM-T - INTEGRATED CIRCUIT

제조업체 부품 번호

FGD3N60LSDTM-T

내부 부품 번호

ABC-FGD3N60LSDTM-T

제조사

ON Semiconductor

간단한 설명

INTEGRATED CIRCUIT

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

86760 Pieces

참조 가격

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사양 FGD3N60LSDTM-T

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : FGD3N60LSDTM-T

제조사 : ON Semiconductor

기술 : INTEGRATED CIRCUIT

시리즈 : -

부품 상태 : Obsolete

IGBT 유형 : -

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 600V

전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 6A

전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) : 25A

VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 1.5V @ 10V, 3A

전력 - 최대 : 40W

스위칭 에너지 : 250µJ (on), 1mJ (off)

입력 유형 : Standard

게이트 차지 : 12.5nC

Td (온 / 오프) @ 25 ° C : 40ns/600ns

시험 조건 : 480V, 3A, 470 Ohm, 10V

역 회복 시간 (trr) : 234ns

작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)

실장 형 : Surface Mount

패키지 / 케이스 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급 업체 장치 패키지 : TO-252, (D-Pak)

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 FGD3N60LSDTM-T

데이터 시트 : FGD3N60LSDTM-T.pdf

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