EPC2100ENGRT - GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE

제조업체 부품 번호

EPC2100ENGRT

내부 부품 번호

ABC-EPC2100ENGRT

제조사

EPC

간단한 설명

GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

158776 Pieces

참조 가격

~~USD 2.356~~

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사양 EPC2100ENGRT

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : EPC2100ENGRT

제조사 : EPC

기술 : GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE

시리즈 : eGaN®

부품 상태 : Active

FET 유형 : 2 N-Channel (Half Bridge)

FET 특징 : GaNFET (Gallium Nitride)

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 10A (Ta), 40A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V

Vgs (th) (최대) @ ID : 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V

전력 - 최대 : -

작동 온도 : -40°C ~ 150°C (TJ)

실장 형 : Surface Mount

패키지 / 케이스 : Die

공급 업체 장치 패키지 : Die

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 EPC2100ENGRT

데이터 시트 : EPC2100ENGRT.pdf

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