EPC2103ENGRT - GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
ABC-EPC2103ENGRT
제조사
간단한 설명
GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
155696 Pieces
참조 가격
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사양 EPC2103ENGRT
품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : EPC2103ENGRT
제조사 : EPC
기술 : GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
시리즈 : eGaN®
부품 상태 : Active
FET 유형 : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징 : GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 80V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 23A
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID : 2.5V @ 7mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 6.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 7600pF @ 40V
전력 - 최대 : -
작동 온도 : -
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : Die
공급 업체 장치 패키지 : Die
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
에 대한 문서 EPC2103ENGRT
데이터 시트 : EPC2103ENGRT.pdf
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