CMH01(TE12L,Q,M) - DIODE GEN PURP 200V 3A M-FLAT

제조업체 부품 번호

CMH01(TE12L,Q,M)

내부 부품 번호

ABC-CMH01(TE12L,Q,M)

제조사

Toshiba Semiconductor and Storage

간단한 설명

DIODE GEN PURP 200V 3A M-FLAT

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

2401504 Pieces

참조 가격

~~USD 0.1363~~

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사양 CMH01(TE12L,Q,M)

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : CMH01(TE12L,Q,M)

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage

기술 : DIODE GEN PURP 200V 3A M-FLAT

시리즈 : -

부품 상태 : Active

다이오드 유형 : Standard

전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 200V

전류 - 평균 정류 (Io) : 3A

전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 980mV @ 3A

속도 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 회복 시간 (trr) : 100ns

전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 10µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F : -

실장 형 : Surface Mount

패키지 / 케이스 : SOD-128

공급 업체 장치 패키지 : M-FLAT (2.4x3.8)

작동 온도 - 정션 : -40°C ~ 150°C

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 CMH01(TE12L,Q,M)

데이터 시트 : CMH01(TE12L,Q,M).pdf

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