DMN2023UCB4-7 - MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

제조업체 부품 번호

DMN2023UCB4-7

내부 부품 번호

ABC-DMN2023UCB4-7

제조사

Diodes Incorporated

간단한 설명

MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

2337867 Pieces

참조 가격

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사양 DMN2023UCB4-7

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : DMN2023UCB4-7

제조사 : Diodes Incorporated

기술 : MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

시리즈 : Automotive, AEC-Q101

부품 상태 : Active

FET 유형 : 2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 특징 : Standard

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 24V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 6A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (최대) @ ID : 1.3V @ 1mA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 37nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 3333pF @ 10V

전력 - 최대 : 1.45W

작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)

실장 형 : Surface Mount

패키지 / 케이스 : 4-XFBGA, WLBGA

공급 업체 장치 패키지 : X1-WLB1818-4

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 DMN2023UCB4-7

데이터 시트 : DMN2023UCB4-7.pdf

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