APTC60HM70BT3G - MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3

제조업체 부품 번호

APTC60HM70BT3G

내부 부품 번호

ABC-APTC60HM70BT3G

제조사

Microsemi Corporation

간단한 설명

MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

49504 Pieces

참조 가격

~~USD 30.2022~~

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사양 APTC60HM70BT3G

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : APTC60HM70BT3G

제조사 : Microsemi Corporation

기술 : MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3

시리즈 : CoolMOS™

부품 상태 : Active

FET 유형 : 4 N-Channel (H-Bridge)

FET 특징 : Logic Level Gate

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 600V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 39A

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 39A, 10V

Vgs (th) (최대) @ ID : 3.9V @ 2.7mA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 259nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 700pF @ 25V

전력 - 최대 : 250W

작동 온도 : -40°C ~ 150°C (TJ)

실장 형 : Chassis Mount

패키지 / 케이스 : SP3

공급 업체 장치 패키지 : SP3

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 APTC60HM70BT3G

데이터 시트 : APTC60HM70BT3G.pdf

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