APTM100H80FT1G - MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

제조업체 부품 번호

APTM100H80FT1G

내부 부품 번호

ABC-APTM100H80FT1G

제조사

Microsemi Corporation

간단한 설명

MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

50336 Pieces

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사양 APTM100H80FT1G

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : APTM100H80FT1G

제조사 : Microsemi Corporation

기술 : MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

시리즈 : -

부품 상태 : Obsolete

FET 유형 : 4 N-Channel (H-Bridge)

FET 특징 : Standard

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 1000V (1kV)

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 11A

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 960 mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ ID : 5V @ 1mA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 150nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 3876pF @ 25V

전력 - 최대 : 208W

작동 온도 : -40°C ~ 150°C (TJ)

실장 형 : Chassis Mount

패키지 / 케이스 : SP1

공급 업체 장치 패키지 : SP1

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 APTM100H80FT1G

데이터 시트 : APTM100H80FT1G.pdf

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