HGT1S10N120BNST - IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

제조업체 부품 번호

HGT1S10N120BNST

내부 부품 번호

ABC-HGT1S10N120BNST

제조사

ON Semiconductor

간단한 설명

IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

363083 Pieces

참조 가격

~~USD 0.90148~~

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사양 HGT1S10N120BNST

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : HGT1S10N120BNST

제조사 : ON Semiconductor

기술 : IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

시리즈 : -

부품 상태 : Active

IGBT 유형 : NPT

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 1200V

전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 35A

전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) : 80A

VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 10A

전력 - 최대 : 298W

스위칭 에너지 : 320µJ (on), 800µJ (off)

입력 유형 : Standard

게이트 차지 : 100nC

Td (온 / 오프) @ 25 ° C : 23ns/165ns

시험 조건 : 960V, 10A, 10 Ohm, 15V

역 회복 시간 (trr) : -

작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)

실장 형 : Surface Mount

패키지 / 케이스 : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급 업체 장치 패키지 : TO-263AB

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 HGT1S10N120BNST

데이터 시트 : HGT1S10N120BNST.pdf

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