VWM200-01P - MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
ABC-VWM200-01P
제조사
간단한 설명
MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
49647 Pieces
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사양 VWM200-01P
품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : VWM200-01P
제조사 : IXYS
기술 : MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
시리즈 : -
부품 상태 : Obsolete
FET 유형 : 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 특징 : Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 210A
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 5.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 4V @ 2mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 430nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : -
전력 - 최대 : -
작동 온도 : -40°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : V2-PAK
공급 업체 장치 패키지 : V2-PAK
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
에 대한 문서 VWM200-01P
데이터 시트 : VWM200-01P.pdf
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