SSM6N35FE,LM - MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
ABC-SSM6N35FE,LM
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
9352133 Pieces
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사양 SSM6N35FE,LM
품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : SSM6N35FE,LM
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage
기술 : MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : 2 N-Channel (Dual)
FET 특징 : Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 180mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ ID : 1V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 9.5pF @ 3V
전력 - 최대 : 150mW
작동 온도 : 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : SOT-563, SOT-666
공급 업체 장치 패키지 : ES6 (1.6x1.6)
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
에 대한 문서 SSM6N35FE,LM
데이터 시트 : SSM6N35FE,LM.pdf
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