BSM50GD120DN2BOSA1 - IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

제조업체 부품 번호

BSM50GD120DN2BOSA1

내부 부품 번호

ABC-BSM50GD120DN2BOSA1

제조사

Infineon Technologies

간단한 설명

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

35445 Pieces

참조 가격

~~USD 67.2~~

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사양 BSM50GD120DN2BOSA1

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : BSM50GD120DN2BOSA1

제조사 : Infineon Technologies

기술 : IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

시리즈 : -

부품 상태 : Not For New Designs

IGBT 유형 : -

구성 : Full Bridge

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 1200V

전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 72A

전력 - 최대 : 350W

VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 3V @ 15V, 50A

전류 - 콜렉터 차단 (최대) : 1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce : 3.3nF @ 25V

입력 : Standard

NTC 서미스터 : No

작동 온도 : 150°C (TJ)

실장 형 : Chassis Mount

패키지 / 케이스 : Module

공급 업체 장치 패키지 : Module

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

관련된 링크들 : BSM50G , BSM50GD12

에 대한 문서 BSM50GD120DN2BOSA1

데이터 시트 : BSM50GD120DN2BOSA1.pdf

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