MT41K512M8V80AWC1 - IC DRAM 4G PARALLEL DIE

제조업체 부품 번호

MT41K512M8V80AWC1

내부 부품 번호

ABC-MT41K512M8V80AWC1

제조사

Micron Technology Inc.

간단한 설명

IC DRAM 4G PARALLEL DIE

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

101168 Pieces

참조 가격

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사양 MT41K512M8V80AWC1

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : MT41K512M8V80AWC1

제조사 : Micron Technology Inc.

기술 : IC DRAM 4G PARALLEL DIE

시리즈 : -

부품 상태 : Obsolete

메모리 유형 : Volatile

메모리 형식 : DRAM

과학 기술 : SDRAM - DDR3L

메모리 크기 : 4Gb (512M x 8)

클럭 주파수 : -

쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 : -

액세스 시간 : -

메모리 인터페이스 : Parallel

전압 - 공급 : 1.283V ~ 1.45V

작동 온도 : 0°C ~ 95°C (TC)

실장 형 : -

패키지 / 케이스 : -

공급 업체 장치 패키지 : -

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 MT41K512M8V80AWC1

데이터 시트 : MT41K512M8V80AWC1.pdf

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부품 번호	상표	기술
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WF165335WL10336BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 16KV SCREW.
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