RN2706JE(TE85L,F) - TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

제조업체 부품 번호

RN2706JE(TE85L,F)

내부 부품 번호

ABC-RN2706JE(TE85L,F)

제조사

Toshiba Semiconductor and Storage

간단한 설명

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

66048 Pieces

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사양 RN2706JE(TE85L,F)

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : RN2706JE(TE85L,F)

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage

기술 : TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

시리즈 : -

부품 상태 : Discontinued at Digi-Key

트랜지스터 유형 : 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)

전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 100mA

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 50V

저항기 -베이스 (R1) : 4.7 kOhms

저항기 - 이미 터베이스 (R2) : 47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce : 80 @ 10mA, 5V

Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA

전류 - 콜렉터 차단 (최대) : 100nA (ICBO)

빈도 - 전환 : 200MHz

전력 - 최대 : 100mW

실장 형 : Surface Mount

패키지 / 케이스 : SOT-553

공급 업체 장치 패키지 : ESV

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 RN2706JE(TE85L,F)

데이터 시트 : RN2706JE(TE85L,F).pdf

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