70T3339S200BCG - IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

제조업체 부품 번호

70T3339S200BCG

내부 부품 번호

ABC-70T3339S200BCG

제조사

IDT, Integrated Device Technology Inc

간단한 설명

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

34221 Pieces

참조 가격

~~USD 77.3275~~

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사양 70T3339S200BCG

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : 70T3339S200BCG

제조사 : IDT, Integrated Device Technology Inc

기술 : IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

시리즈 : -

부품 상태 : Active

메모리 유형 : Volatile

메모리 형식 : SRAM

과학 기술 : SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기 : 9Mb (512K x 18)

클럭 주파수 : 200MHz

쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 : -

액세스 시간 : 3.4ns

메모리 인터페이스 : Parallel

전압 - 공급 : 2.4V ~ 2.6V

작동 온도 : 0°C ~ 70°C (TA)

실장 형 : Surface Mount

패키지 / 케이스 : 256-LBGA

공급 업체 장치 패키지 : 256-CABGA (17x17)

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 70T3339S200BCG

데이터 시트 : 70T3339S200BCG.pdf

관련 제품 70T3339S200BCG IDT, Integrated Device Technology Inc

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