IGLD60R070D1AUMA1 - IC GAN FET 600V 60A 8SON

제조업체 부품 번호

IGLD60R070D1AUMA1

내부 부품 번호

ABC-IGLD60R070D1AUMA1

제조사

Infineon Technologies

간단한 설명

IC GAN FET 600V 60A 8SON

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

76219 Pieces

참조 가격

~~USD 7.97489~~

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사양 IGLD60R070D1AUMA1

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : IGLD60R070D1AUMA1

제조사 : Infineon Technologies

기술 : IC GAN FET 600V 60A 8SON

시리즈 : CoolGaN™

부품 상태 : Active

FET 유형 : N-Channel

과학 기술 : GaNFET (Gallium Nitride)

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 600V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 15A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : -

Rds On (최대) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (최대) @ ID : 1.6V @ 2.6mA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : -

Vgs (최대) : -10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 380pF @ 400V

FET 특징 : -

전력 발산 (최대) : 114W (Tc)

작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)

실장 형 : Surface Mount

공급 업체 장치 패키지 : PG-LSON-8-1

패키지 / 케이스 : 8-LDFN Exposed Pad

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 IGLD60R070D1AUMA1

데이터 시트 : IGLD60R070D1AUMA1.pdf

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