NCV5701ADR2G - HIGH CURRENT IGBT GATE DR

제조업체 부품 번호

NCV5701ADR2G

내부 부품 번호

ABC-NCV5701ADR2G

제조사

ON Semiconductor

간단한 설명

HIGH CURRENT IGBT GATE DR

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

732564 Pieces

참조 가격

~~USD 0.4968~~

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사양 NCV5701ADR2G

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : NCV5701ADR2G

제조사 : ON Semiconductor

기술 : HIGH CURRENT IGBT GATE DR

시리즈 : *

부품 상태 : Active

구동 구성 : -

채널 유형 : -

드라이버 수 : -

게이트 유형 : -

전압 - 공급 : -

논리 전압 - VIL, VIH : -

전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) : -

입력 유형 : -

하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) : -

상승 / 하강 시간 (일반) : -

작동 온도 : -

실장 형 : -

패키지 / 케이스 : -

공급 업체 장치 패키지 : -

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 NCV5701ADR2G

데이터 시트 : NCV5701ADR2G.pdf

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