VS-GT400TH120N - IGBT 1200V 600A 2119W DIAP
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
ABC-VS-GT400TH120N
간단한 설명
IGBT 1200V 600A 2119W DIAP
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
39678 Pieces
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사양 VS-GT400TH120N
품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : VS-GT400TH120N
제조사 : Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 : IGBT 1200V 600A 2119W DIAP
시리즈 : -
부품 상태 : Obsolete
IGBT 유형 : Trench
구성 : Half Bridge
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 600A
전력 - 최대 : 2119W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 400A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) : 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce : 28.8nF @ 25V
입력 : Standard
NTC 서미스터 : No
작동 온도 : 150°C (TJ)
실장 형 : Chassis Mount
패키지 / 케이스 : Double INT-A-PAK (3 + 8)
공급 업체 장치 패키지 : Double INT-A-PAK
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
에 대한 문서 VS-GT400TH120N
데이터 시트 : VS-GT400TH120N.pdf
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